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TK10A80E,S4X /MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
TK10A80E,S4X的規格信息
TK10A80E,S4X的圖片

圖像僅供參考,請參閱規格書

制造商:Toshiba

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續漏極電流:10 A

Rds On-漏源導通電阻:700 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:46 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:DTMOSIV

高度:15 mm

長度:10 mm

系列:TK10A80E

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.5 mm

商標:Toshiba

下降時間:35 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:40 ns

工廠包裝數量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:140 ns

典型接通延遲時間:80 ns

單位重量:6 g

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深圳市天卓偉業電子有限公司TK10A80E,S4X華強北街道華強廣場A座20J0755-83275789
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TK10A80E,S4XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品1+:¥17.6
10+:¥15.8799
25+:¥14.18
100+:¥12.76
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TK10A80E,S4XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品1+:¥17.6
10+:¥15.8799
25+:¥14.18
100+:¥12.76
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100+:¥9.0299
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